GaN-транзисторы фирмы NXP с выходной мощностью 300 Вт на частоте 2,45 ГГц

Фирма NXP Semiconductors представила СВЧ-транзисторы MRF24G300H / HS с выходной мощностью более 300 Вт в непрерывном режиме в диапазоне частот 2400 – 2500 МГц. Транзисторы выполнены по технологии GaN на подложке из карбида кремния (SiC) и предназначены для   промышленных, научных и медицинских применений (ISM). В типовой схеме включения при напряжении на стоке 48 В усиление по мощности составляет 15,2 дБ при КПД стока 73%. GaN-технология обеспечивает высокую надежность – транзистор выдерживает без повреждения  работу на нагрузку с КСВН не менее 20 при напряжении питания 55 В и длительности импульсов 100 мкс / 20%. Предельно допустимая температура корпуса достигает 150 °С. Транзисторы выпускаются в металлокерамическом корпусе с фланцем (MRF24G300H) и без фланца (MRF24G300HS).